標(biāo)簽：

對(duì)于用戶而言，內(nèi)存交叉存取是顯而易見的，它取決于系統(tǒng)DIMM的位置以及配置。

內(nèi)存交叉存取由系統(tǒng)BIOS在POST過程中自動(dòng)完成。

目前推薦的安裝順序是D1,D7,D2,D8，并依此類推，直至在裝滿存儲(chǔ)體3后才能在存儲(chǔ)體2里加裝更多的內(nèi)存。此做法實(shí)現(xiàn)了4路交叉存取，從而增強(qiáng)了內(nèi)存的性能。

不過，在上述配置情況下，即使僅僅往存儲(chǔ)體2中加裝2個(gè)額外的DIMM都會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存配置錯(cuò)誤。這將迫使系統(tǒng)禁用裝在存儲(chǔ)體2中的全部?jī)?nèi)存，并導(dǎo)致系統(tǒng)探測(cè)到的物理內(nèi)存數(shù)量與實(shí)際安裝的內(nèi)存總量不一致。

還有一種不同的策略，就是往存儲(chǔ)體3、2、1里每個(gè)裝入2個(gè)DIMM。

這樣做能保持兩路交叉存取并且為所有裝好的內(nèi)存DIMM提供通道（或者干脆以4個(gè)為一組的方式安裝內(nèi)存DIMM）。

內(nèi)存熱備份：

熱備份內(nèi)存在<Advancedsetup>（高級(jí)設(shè)置）,<CoreChipset>（核心芯片組）中激活。

本系統(tǒng)的內(nèi)存應(yīng)該由上至下安裝。

存儲(chǔ)體3是默認(rèn)的熱備份存儲(chǔ)體，必須按順序安裝以便用于熱備份存儲(chǔ)。所有使用的存儲(chǔ)體必須配置容量、速度和堆棧等級(jí)都相同的內(nèi)存。