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X架構(gòu)內(nèi)存子系統(tǒng)技術(shù)

內(nèi)存可靠性增強(qiáng)

–內(nèi)存容量的增加(最大為32GB)，在單個DIMM上的內(nèi)存密度的增加(最大為1GB)，以及內(nèi)存子系統(tǒng)速度的提高，使得發(fā)生內(nèi)存多位錯誤的風(fēng)險明顯增大，標(biāo)準(zhǔn)的ECC內(nèi)存無法修正多位內(nèi)存錯誤，導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰。

X架構(gòu)內(nèi)存子系統(tǒng)特性包括:

–256GB內(nèi)存容量

–ActiveMemory

–高速(DDR)內(nèi)存

–內(nèi)存ProteXion

–Chipkill內(nèi)存

–內(nèi)存鏡像

–熱添加/熱插拔內(nèi)存

–內(nèi)存eX擴(kuò)展技術(shù)(MXT)